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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C5, Octobre 1983
Interactions Laser-Solides, Recuits par Faisceaux d'Energie / Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials
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| Page(s) | C5-111 - C5-118 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983518 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C5-111-C5-118
DOI: 10.1051/jphyscol:1983518
CONDUCTIVITY TRANSIENTS OF Si AND InSb UNDER INTENSE LASER EXCITATION
E.W. Kreutz, G. Treusch et W. ZimmerInstitut für Angewandte Physik, Technische Hochschule Darmstadt, Schloβgartenstr. 7, D 6100 Darmstadt, F.R.G.
Résumé
Nous avons mesuré la conductivité électrique de spécimens monocristallins de Si et InSb durant l'irradiation par un faisceau laser puissant. Les surfaces des cristaux n'étaient pas spécialement traitées et les mesures ont été faites avec une grande résolution temporelle. On a étudié l'influence des paramètres température, concentration des porteurs et pression atmosphérique. Les possibles influences sur le traitement des matériaux par laser sont discutées.
Abstract
Time resolved measurements of electrical conductivity have been performed during intense laser excitation of single-crystalline Si and InSb specimens with oxidized surfaces. The influence of temperature, carrier concentration, and pressure of the surrounding atmosphere was studied. The relevance to materials processing is discussed.