| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C5, Octobre 1983
Interactions Laser-Solides, Recuits par Faisceaux d'Energie / Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials
|
|
|---|---|---|
| Page(s) | C5-99 - C5-105 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983516 | |
Interactions Laser-Solides, Recuits par Faisceaux d'Energie / Laser-Solid Interactions and Transient Thermal Processing of Materials
J. Phys. Colloques 44 (1983) C5-99-C5-105
DOI: 10.1051/jphyscol:1983516
Université P. et M. Curie, Laboratoire de Physique des solides, 4, place Jussieu, T 13-23, 73230 Paris Cedex 05, France
J. Phys. Colloques 44 (1983) C5-99-C5-105
DOI: 10.1051/jphyscol:1983516
FEMTOSECOND REFLECTIVITY MEASUREMENT OF HIGHLY PHOTOEXCITED SILICON
C. HirlimannUniversité P. et M. Curie, Laboratoire de Physique des solides, 4, place Jussieu, T 13-23, 73230 Paris Cedex 05, France
Résumé
Nous décrivons dans une première partie les progrès récents qui ont permis de descendre la durée des impulsions laser dans le domaine femtoseconde. Nous montrons ensuite l'application de cette technique à la très forte photoexcitation du silicium et présentons des mesures de réflectivité résolues dans le temps, à diverses longueurs d'ondes que nous interprétons à travers des modèles simples.
Abstract
Recent advances have taken place in optical pulse generation techniques pushing optical pulse widths down into the femtosecond domain. Time resolved reflectivity measurements at various wavelength are presented and interpreted in the form of very simple models.