MECHANISMS OF MELTING OF SILICON

Résumé
Afin de mieux comprendre les mécanismes qui gouvernent le front de fusion du silicium sous irradiation laser, sa structure atomique est étudiée aux alentours de la température de fusion et l'épaisseur de l'interface solide-liquide est évaluée. Quatre effets sont liés à la fusion : la création d'un nombre important de défauts, la formation de dislocations, la déhybridisation des orbitales atomiques et la transition ordre-désordre. L'influence de la création des défauts sur la vitesse de fusion du silicium est évaluée dans divers cas.

Abstract
The atomic structure of silicon around its melting temperature is discussed and the thickness of the solid-liquid interface is evaluated. Four effects are responsible for the melting of silicon : the creation of a large concentration of defects, the formation of dislocations, the dehybridization of atomic orbitals and the order-disorder transition. The influence of the creation of defects on the velocity of the melting front of silicon is calculated under various circumstances.