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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C3, Juin 1983
Conférence Internationale sur la Physique et la Chimie des Polymères ConducteursCONDUCTEURS ET SUPRACONDUCTEURS SYNTHÉTIQUES A BASSE DIMENSION |
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| Page(s) | C3-491 - C3-493 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983398 | |
Conférence Internationale sur la Physique et la Chimie des Polymères Conducteurs
CONDUCTEURS ET SUPRACONDUCTEURS SYNTHÉTIQUES A BASSE DIMENSION
J. Phys. Colloques 44 (1983) C3-491-C3-493
DOI: 10.1051/jphyscol:1983398
1 Physics Department and Solid State Institute,Technion-Israel Institute of Technology, Haifa, Israel
2 Physics Department, University of California, Santa-Barbara, CA 93106, U.S.A.
CONDUCTEURS ET SUPRACONDUCTEURS SYNTHÉTIQUES A BASSE DIMENSION
J. Phys. Colloques 44 (1983) C3-491-C3-493
DOI: 10.1051/jphyscol:1983398
THE EFFECT OF VIBRONIC TRANSITION ON THE INTERBAND OPTICAL-ABSORPTION IN (CH)x
E. Ehrenfreund1, D. Moses2 and A.J. Heeger21 Physics Department and Solid State Institute,Technion-Israel Institute of Technology, Haifa, Israel
2 Physics Department, University of California, Santa-Barbara, CA 93106, U.S.A.
Résumé
On décrit un modèle des transitions vibroniques dans le semiconducteur quasi-unidimensionnel (CH)x. On en déduit que le paramètre du couplage électron-phonon (e-p) est seulement une fraction de la constante du couplage e-p responsable de la bande interdite dans (CH)x.
Abstract
A model for vibronic transitions in the quasi-one-dimensional semiconductor (CH)x is described. It appears that the resulting electron-phonon (e-p) coupling parameter is only a fraction of the e-p coupling constant responsible for the gap in (CH)x.