EFFETS DES TRAITEMENTS THERMIQUES SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES DES CELLULES SOLAIRES A BASE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN

E. Courcelle; M. Mesli; J.C. Muller; D. Salles; P. Siffert

doi:doi:10.1051/jphyscol:1982139

Numéro		J. Phys. Colloques Volume 43, Numéro C1, Octobre 1982 Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors


Page(s)		C1-283 - C1-288
DOI		https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982139

Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors

J. Phys. Colloques 43 (1982) C1-283-C1-288
DOI: 10.1051/jphyscol:1982139

EFFETS DES TRAITEMENTS THERMIQUES SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES DES CELLULES SOLAIRES A BASE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN

E. Courcelle, M. Mesli, J.C. Muller, D. Salles et P. Siffert

Centre de Recherches Nucléaires, Laboratoire de Physique et Applications des Semiconducteurs, (PHASE), 67037 Strasbourg Cedex, France

Résumé
On a étudié l'effet de recuits à haute température sur les caractéristiques électriques à l'obscurité et sous éclairement de cellules solaires à base de silicium polycristallin dont la jonction était préparée à froid par incrustation ionique et recuit par laser pulsé. Dans certains cas des dégradations notables sont observées pour des recuits à 900°C.

Résumé
The effect of high temperature treatments has been investigated on polycristalline silicon solar cells prepared by a "cold" technology including PF₅ ion incrustation and pulsed YAG laser annealing. In some cases, degradation is observed after heating of 900°C.