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J. Phys. Colloques
Volume 42, Numéro C7, Octobre 1981
Third International Conference on Hot Carriers in Semiconductors
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| Page(s) | C7-407 - C7-412 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1981750 | |
J. Phys. Colloques 42 (1981) C7-407-C7-412
DOI: 10.1051/jphyscol:1981750
MAGNETOPHONON OSCILLATIONS IN THE LIFETIME OF HOT PHOTOEXCITED CARRIERS
F.J. Schmitte1, G. Bauer2 et W. Zawadzki31 I. Physikalisches Institut, RWTH Aachen, D-51 Aachen, FRG
2 Institut für Physik, Montanuniversität Leoben, A-8700 Leoben, Austria
3 Institut of Physics, Polish Academy of Sciences, Warszawa, Poland
Résumé
La dépendance en temps de la photoconductivité de n-InSb a été étudiée avec un LASER à "Q-Switch". A basses températures (T=4.2K), la durée de vie des porteurs libres décroît lorsque le champs magnétique augmente, et elle présente des oscillations dont la périodicité pourrait être déduite de la fréquence de piégeage de ces porteurs par les impuretés. Ce piégeage s'accompagne d'une émission de phonons-LO (effet d'impureté magnétique)
Abstract
The time dependent change of photoconductivity of n-InSb has been studied after photoexcitation with Q-switched CO2-laser pulses. At liquid He temperatures, the lifetime decreases with the increasing nagnetic field but exhibits a superimposed oscillatory variation. The periodicity of this oscillation is consistent with a resonant capture of the carriers in impurity states, accompanied by LO-phonon emission (magnetoimpurity-effect).