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J. Phys. Colloques
Volume 42, Numéro C7, Octobre 1981
Third International Conference on Hot Carriers in Semiconductors
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| Page(s) | C7-171 - C7-176 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1981719 | |
Third International Conference on Hot Carriers in Semiconductors
J. Phys. Colloques 42 (1981) C7-171-C7-176
DOI: 10.1051/jphyscol:1981719
Centre Hyperfréquences et Semiconducteurs, Laboratoire Associé au C.N.R.S. n°287, Bâtiment P4, Université des Sciences et Techniques de Lille 1, 59655 Villeneuve d'Ascq Cedex, France
J. Phys. Colloques 42 (1981) C7-171-C7-176
DOI: 10.1051/jphyscol:1981719
THEORETICAL STUDY OF 100 GHz GaAs TRANSFERRED-ELECTRON DEVICES
P.A. Rolland, M.R. Friscourt, G. Salmer et E. ConstantCentre Hyperfréquences et Semiconducteurs, Laboratoire Associé au C.N.R.S. n°287, Bâtiment P4, Université des Sciences et Techniques de Lille 1, 59655 Villeneuve d'Ascq Cedex, France
Résumé
Des simulations numériques du comportement de dispositifs à transfert électronique à l'AsGa ont été effectuées grâce à un modèle prenant en compte les effets de dynamique électronique non stationnaire ainsi que les phénomènes de diffusion. Des résultats concernant les diodes Gunn fonctionnant à 100 GHz sont donnés et commentés.
Abstract
Computer simulations of GaAs Transferred Electron Devices have been performed using a model which includes relaxation effects as well as spatial dependence. Some results are presented and discussed for 100 GHz GaAs short Gunn diodes.