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J. Phys. Colloques
Volume 42, Numéro C7, Octobre 1981
Third International Conference on Hot Carriers in Semiconductors
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Page(s) | C7-57 - C7-62 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1981706 |
J. Phys. Colloques 42 (1981) C7-57-C7-62
DOI: 10.1051/jphyscol:1981706
AN IMPACT IONIZATION MODEL FOR CURRENT CONTROLLED NEGATIVE RESISTANCE AND g-r INDUCED NONEQUILIBRIUM PHASE TRANSITIONS
E. SchöllInstitut f. Theoret. Physik B, RWTH Aachen, D-51 Aachen, FRG
Résumé
Nous présentons dans ce papier un modèle simple de génération-recombination basé sur un mécanisme d'ionisation des donneurs par impacts à deux étapes. Ce modèle conduit à une caractéristique Courant-Tension de type S et à des transitions de phases hors d'équilibre entre les branches hautes et basses de la résistivité. Nous avons montré qu'une règle de "surfaces égales" est une condition nécessaire pour la formation de filaments ou de couches de courant.
Abstract
A simple generation-recombination (g-r) model based upon a two-step impact ionization mechanism of donors is presented. It leads to an S-type current-voltage characteristic and to nonequilibrium phase transitions between its high and low resistivity branches. The homogeneous steady state corresponding to the falling branch is shown to be unstable against the formation of high and low current layers and filaments, and an equal area rule for their coexistence is established.