| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 41, Numéro C6, Juillet 1980
THIRD EUROPHYSICS TOPICAL CONFERENCELATTICE DEFECTS IN IONIC CRYSTALS |
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| Page(s) | C6-216 - C6-219 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1980655 | |
LATTICE DEFECTS IN IONIC CRYSTALS
J. Phys. Colloques 41 (1980) C6-216-C6-219
DOI: 10.1051/jphyscol:1980655
Point defect parameters for strontium chloride from ionic conductivity studies
A.V. Chadwick, F.G. Kirkwood et R. SaghafianUniversity Chemical Laboratory, University of Kent at Canterbury, Canterbury, Kent CT2 7NH, England
Résumé
Nous avons mesuré la conductivité des cristaux de SrCl2 dopés avec les ions M+ et M3+. Les données ont été analysées à l'aide de techniques des moindres carrés non linéaires pour obtenir des valeurs numériques des paramètres gouvernant la formation et la migration des défauts. Les paramètres montrent que les anions interstitiels sont les plus mobiles défauts aux hautes températures.
Abstract
We have measured the conductivity of SrCl2 crystals doped with M+ and M3+ ions. The data have been analysed using non-linear least squares techniques to yield numerical values of the parameters governing the formation and migration of defects. The parameters obtained predict that the interstitial anions are the more mobile defects at high temperature.