| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 41, Numéro C5, Juillet 1980
Colloque International du C.N.R.S sur les Semiconducteurs Magnétiques / Magnetic Semiconductors
|
|
|---|---|---|
| Page(s) | C5-259 - C5-261 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1980544 | |
J. Phys. Colloques 41 (1980) C5-259-C5-261
DOI: 10.1051/jphyscol:1980544
NMR SHIFT MEASUREMENTS OF Mn DOPED SnTe COMPOUNDS
B. Perrin1, P. Descouts1 et F.T. Hedgcock21 Département de Physique de la Matière Condensée, Université de Genève, 32, Bd d'Yvoy, 1211 Genève 4, Suisse.
2 Department of Physics, Mc Gill University, Montreal, P.Q., Canada H3A 2T8.
Résumé
Nous avons étudié par résonance magnétique nucléaire (RMN) le système (SnTe)100-xMnx. Le déplacement de Knight des noyaux de 119Sn et 125Te pour SnTe non-dopé est indépendant de la température entre 4,2 et 300 K. La variation du déplacement de Knight K(Sn) en fonction de la concentration de Mn, à température ambiante, nous a permis de tirer une valeur de l'intégrale d'échange entre les moments localisés et les porteurs de charge ; J = (0,22 ± 0,05) eV.
Abstract
We have studied by nuclear magnetic resonance (NMR) the system (SnTe)100-x Mnx. The knight shift of 119Sn and 125Te nuclei for undoped SnTe is temperature independent between 4.2 and 300 K. The variation of the Knight shift K(Sn) as a function of Mn concentration, at room temperature, has allowed us to obtain a value of the exchange integral between localized moments and charge carriers ; J = (0.22 ± 0.05) eV.