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J. Phys. Colloques
Volume 41, Numéro C5, Juillet 1980
Colloque International du C.N.R.S sur les Semiconducteurs Magnétiques / Magnetic Semiconductors
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| Page(s) | C5-67 - C5-70 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1980513 | |
J. Phys. Colloques 41 (1980) C5-67-C5-70
DOI: 10.1051/jphyscol:1980513
MAGNETIC SUSCEPTIBILITY IN THE INSULATING AND METALLIC PHASES OF VO2 : THE CONTRIBUTION OF ELECTRON-ELECTRON AND ELECTRON-LATTICE INTERACTIONS
P. Leroux-Hugon1 et D. Paquet21 C.N.R.S. - 1 place A. Briand, 92190 Meudon-Bellevue, France.
2 C.N.E.T. - 196, rue de Paris, 92220 Bagneux, France.
Résumé
Nous présentons une analyse de la transition de phase VO2 basée sur un développement de l'énergie libre en fonction de deux paramètres, l'amplitude de la distorsion de réseau η et l'amplitude du moment magnétique local moyen µ ; cette analyse incorpore donc à la fois l'intéraction électron-électron et l'interaction électron-réseau. On discute les implications de ces mécanismes pour la susceptibilité magnétique.
Abstract
We present an analysis of the VO2 phase transition based upon a free energy expression which depends on two parameters, the amplitude η of the lattice distortion and the amplitude µ of the average magnetic local moment ; this analysis thus incorporates both electron-electron and electron-lattice interactions. Bearing of these mechanisms on the magnetic susceptibility are discussed.