| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 40, Numéro C5, Mai 1979
Colloque International du C.N.R.S.La Physique des Terres Rares à l'Etat Métallique / Physics of Metallic Rare-Earths |
|
|---|---|---|
| Page(s) | C5-118 - C5-119 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1979541 | |
La Physique des Terres Rares à l'Etat Métallique / Physics of Metallic Rare-Earths
J. Phys. Colloques 40 (1979) C5-118-C5-119
DOI: 10.1051/jphyscol:1979541
The effect of the 4f-quadrupole charge distribution on the electrical resistivity of TmSb
N. Hessel Andersen1 et O. Vogt21 Physics Laboratory I, H.C. Ørsted Institute, University of Copenhagen, Denmark
2 Laboratorium für Festkörperphysik, ETH, Zürich, F.R.G.
Résumé
Nous avons étudié les interactions entre électrons de conduction et les électrons localisés 4f dans le composé TmSb par la mesure de la variation en température de la résistivité électrique. On montre que la diffusion due à la distribution de charge quadrupolaire des électrons 4f donne une contribution à la résistivité du même ordre de grandeur que le processus d'échange habituel. On trouve un bon accord entre théorie et expérience quand cette contribution est prise en compte.
Abstract
The interaction between the conduction electrons and the localized 4f-electrons in TmSb has been investigated by measuring the temperature variation in the electrical resistivity. It is shown that the scattering by the 4f-quadrupole charge distribution in Tm gives a contribution to the resistivity of the same order of magnitude as the usual exchange scattering processes. Good agreement is obtained between theory and experiment when this contribution is taken into account.