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J. Phys. Colloques
Volume 40, Numéro C4, Avril 1979
3rd International Conference on the electronic structure of the actinides
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| Page(s) | C4-40 - C4-41 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1979415 | |
J. Phys. Colloques 40 (1979) C4-40-C4-41
DOI: 10.1051/jphyscol:1979415
Energy dependent photoemission (UPS/XPS) for USb single crystal
R. Baptist1, J. Naegele2 et Y. Baer31 Université scientifique et médicale, Grenoble, France.
2 Commission of the European Communities, Joint Research Centre, European Institute for Transuranium Elements, Postfach 2266, D-7500 Karlsruhe 1, F.R.G.
3 Laboratorium für Festkörperphysik, ETH-Hönggerberg, CH-8093 Zürich, Switzerland
Résumé
Des mesures de photoémission sur des monocristaux de USb sont présentées pour différentes valeurs de l'énergie d'excitation (HeI : 21,2 eV, HeII : 40,8 eV et Al-Kα monochromatisée : 1 486,6 eV). Un pic relativement intense est observé à l'énergie de Fermi et sa croissance en fonction de l'énergie d'excitation permet de lui attribuer un caractère essentiellement de type f. L'étude de l'oxydation de la surface n'a pas permis d'ôter le doute quant à l'identification des pics situés à - 2,2 eV et - 5,5 eV. Cette oxydation semble conduire à la formation d'un film mince où les atomes d'oxygène occupent les vacances ou interstices du réseau cristallin.
Abstract
Photoemission measurements on USb single crystals are reported for different excitation energies (HeI : 21.2 eV, HeII : 40.8 eV and monochromatized Al-Kα : 1 486.6 eV). A relatively strong emission at the Fermi energy is observed. From the increasing emission with growing photon energy, substantial f-character is found at the Fermi edge. The study of surface oxidation did not permit unambiguously the identification of the two emission bands at - 2.2 eV and - 5.5 eV. The surface oxidation is considered to produce a thin film with oxygen in the vacancy or interstitial places of the USb lattice.