Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 40, Numéro C2, Mars 1979
International Conference on The Applications of The Mössbauer Effect
Page(s) C2-386 - C2-388
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:19792134
International Conference on The Applications of The Mössbauer Effect

J. Phys. Colloques 40 (1979) C2-386-C2-388

DOI: 10.1051/jphyscol:19792134

ATOMIC AND MOLECULAR MOTION IN COVALENT SOLIDS

R.H. Herber

Department of Chemistry, Rutgers University, New Brunswick, N.J., 08903, U. S. A.


Résumé
L'anisotropie de vibration des atomes métalliques dans des composés lamellaires du type SnS2 et SnSe2 peut être mesurée à partir de la dépendance angulaire de la fraction d'effet sans recul sur des échantillons monocristallins. L'effet Mössbauer de 119Sn montre que les atomes d'étain effectuent à 295 K un mouvement parallèle aux plans de soufre avec une amplitude deux fois plus grande que pour le mouvement perpendiculaire à ces plans. On présente un calcul de la fraction d'effet sans recul qui tient compte à la fois du nombre d'atomes sur le chemin optique et de l'aire sous la courbe de résonance Mössbauer en fonction de la direction d'observation.


Abstract
The anisotropy in the vibrational amplitudes executed by the metal atom in strongly anisotropic van der Waals layer compounds of the type SnS2 and SnSe2 can be obtained from angular dependence measurements of the recoil-free fraction, using oriented single crystal absorbers. Such studies have been carried out using the 23.8 keV Mössbauer transition in 119Sn, and show that the tin atom executes a motion parallel to the sulphur layer plane which is approximately a factor of 2 larger than the motion perpendicular to this plane at 295 K. A formalism is presented which permits the calculation of the angular dependence of the recoil-free fraction taking into account both the angular dependence of the number of atoms in the optical path and the angular dependence of the area under the Mössbauer resonance curve.