C. I. CALCULATIONS IN THE SILICON SEQUENCE

A. Hibbert

doi:doi:10.1051/jphyscol:1979122

Numéro		J. Phys. Colloques Volume 40, Numéro C1, Février 1979 Fast ion spectroscopy International Conference on beam-foil spectroscopy, 5^th


Page(s)		C1-122 - C1-124
DOI		https://doi.org/10.1051/jphyscol:1979122

Fast ion spectroscopy
International Conference on beam-foil spectroscopy, 5^th

J. Phys. Colloques 40 (1979) C1-122-C1-124
DOI: 10.1051/jphyscol:1979122

C. I. CALCULATIONS IN THE SILICON SEQUENCE

A. Hibbert

Department of Applied Mathematics and Theoretical Physics, The Queen's University of Belfast, Belfast BT7 1NN, Northern Ireland.

Résumé
Nous avons utilisé la méthode de l'interaction configurationnelle pour calculer les forces d'oscillateur des transitions ³P^e - ³P^o : 3s²3p² - 3s3p³ et -3s² 3p4s ; ³P^e - ³D^o : 3s²3p² - 3s3p³ et -3s²3p3d de Si I, P II et S III. Les valeurs utilisant le couplage L-S sont en accord avec l'expérience, mais on doit ajouter les effets relativistes pour les états 3p3d ³P^o et ³D^o.

Abstract
Large configuration interaction expansions are used to evaluate oscillator strengths of ³P^e - ³P^o : 3s²3p² - 3s3p³ and -3s²3p4s ; ³P^e - ³D^o : 3s²3p² - 3s3p³ and -3s²3p3d transitions in Si I, P II and S III. Values obtained in L-S coupling are satisfactory for all the transitions except those involving the 3p3d states where relativistic effects are expected to be important.