Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 39, Numéro C6, Août 1978
The XVth International Conference on low temperature physics
Quantum Fluids and Solids
Superconductivity
Page(s) C6-1186 - C6-1187
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:19786525
The XVth International Conference on low temperature physics
Quantum Fluids and Solids
Superconductivity

J. Phys. Colloques 39 (1978) C6-1186-C6-1187

DOI: 10.1051/jphyscol:19786525

A InSb THIN FILM TRANSISTOR OPERATING AT CRYOGENIC TEMPERATURES

A. Van Calster

Ghent State University, Belgium.


Résumé
Le transistor en couches minces (T.F.T.) de SbIn est un transistor à effet de champ, dont le fonctionnement est basé sur la conduction induite. Par conséquent on prévoit que le transistor pourra fonctionner à de très basses températures /1/. Ceci a été vérifié en mesurant les caractéristiques pendant que le transistor était réfrigéré. On a constaté que le transistor à SbIn avait des caractéristiques acceptables, qui dépendent peu de la température entre 150 K et 28 K.


Abstract
The InSb thin film transistor (T.F.T.) is a field effect transistor, which relies on an induced conduction. Consequently such a device is expected to operate at cryogenic temperatures /1/ This was verified by monitoring the transistor characteristics on a curve-tracer, while the T.F.T. was refrigerated in a He cryostat. We found that the InSb T.F.T. showed satisfactory saturating characteristics, which are relatively temperature-independent between 150 K and 28 K.