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J. Phys. Colloques
Volume 39, Numéro C2, Juin 1978
CONGRÈS DE LA SOCIÉTÉ FRANÇAISE DE PHYSIQUEDéfauts de structure dans les solides non métalliques Physique des polymères non cristallins Phénomènes de Transport dans les solides : Nouvelles orientations et progrès récents |
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| Page(s) | C2-17 - C2-21 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1978203 | |
CONGRÈS DE LA SOCIÉTÉ FRANÇAISE DE PHYSIQUE
Défauts de structure dans les solides non métalliques
Physique des polymères non cristallins
Phénomènes de Transport dans les solides :
Nouvelles orientations et progrès récents
J. Phys. Colloques 39 (1978) C2-17-C2-21
DOI: 10.1051/jphyscol:1978203
1 Physics Department, SUNYA, Washington Avenue, Albany, N.Y., 12222, U.S.A.
2 Groupe de Physique des Solides de l'Ecole Normale Supérieure, Tour 23, 2, place Jussieu, 75221 Paris Cedex 05, France
Défauts de structure dans les solides non métalliques
Physique des polymères non cristallins
Phénomènes de Transport dans les solides :
Nouvelles orientations et progrès récents
J. Phys. Colloques 39 (1978) C2-17-C2-21
DOI: 10.1051/jphyscol:1978203
LES DÉFAUTS PONCTUELS DANS LES SEMICONDUCTEURS
J. W. CORBETT1 et J. C. BOURGOIN21 Physics Department, SUNYA, Washington Avenue, Albany, N.Y., 12222, U.S.A.
2 Groupe de Physique des Solides de l'Ecole Normale Supérieure, Tour 23, 2, place Jussieu, 75221 Paris Cedex 05, France
Résumé
On passe en revue les propriétés électroniques et les propriétés de transport atomique des défauts dans les semiconducteurs en indiquant, et prenant exemple sur le cas le mieux connu, le silicium, les domaines où il y a manque d'information et de compréhension.
Abstract
Electronic properties and atomic transport properties of defects in semiconductors are reviewed ; as contrasted to the best-known material, silicon, other materials where investigations and understanding are lacking, are emphasized.