Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 38, Numéro C7, Décembre 1977
COLLOQUE INTERNATIONAL du C.N.R.S.
L'ORDRE ET LE DÉSORDRE DANS LES SOLIDES / ORDER AND DISORDER IN SOLIDS
Page(s) C7-207 - C7-210
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1977739
COLLOQUE INTERNATIONAL du C.N.R.S.
L'ORDRE ET LE DÉSORDRE DANS LES SOLIDES / ORDER AND DISORDER IN SOLIDS

J. Phys. Colloques 38 (1977) C7-207-C7-210

DOI: 10.1051/jphyscol:1977739

ÉVIDENCE D'UN DÉSORDRE A MOYENNE DISTANCE DANS LES SOLIDES. INTERPRÉTATION DES PROPRIÉTÉS ÉLECTRIQUES DES SEMICONDUCTEURS DÉSORDONNÉS

B. PISTOULET, J.L. ROBERT, J.M. DUSSEAU, F. ROCHE and P. GIRARD

Centre d'Etudes d'Electronique des Solides, Université des Sciences et Techniques du Languedoc, Montpellier, France


Résumé
On montre la nécessité de considérer l'existence d'un désordre à moyenne distance dans les semiconducteurs désordonnés. Il provoque la localisation d'une partie des porteurs dans les puits de potentiel, et explique quantitativement les variations de la mobilité d'entraînement et de la conductivité électrique avec la température et la fréquence.


Abstract
The necessity of considering a medium range disorder in disordered semiconductors is shown. This disorder is responsible for the localization, in potential wells, of a part of the total carriers density, and explains quantitatively the variations of drift mobility and electrical conductivity versus temperature and frequency.