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J. Phys. Colloques
Volume 37, Numéro C7, Décembre 1976
Second International Conference on Lattice Defects in Ionic Crystals / Seconde Conférence Internationale sur les Défauts de Réseau dans les Cristaux Ioniques
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Page(s) | C7-411 - C7-414 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1976794 |
J. Phys. Colloques 37 (1976) C7-411-C7-414
DOI: 10.1051/jphyscol:1976794
POINT DEFECTS IN OXIDES.
REDUCTION OF IMPURITY IONS IN MgO BY CURRENT FLOW AT HIGH TEMPERATURE
R.A. WEEKS, E. SONDER, J.C. PIGG and K.F. KELTON Solid State Division, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, Tennessee 37830, U.S.A.
Résumé
Nous rapportons les résultats d'une étude de la réduction par passage d'un courant électrique d'ions de métaux de transition situés en impuretés dans MgO. Les champs utilisés ont été de l'ordre de 103V/cm à des températures entre 950 et 1 150°C. On a pu réduire presque complètement les impuretés bivalentes Fe3+ et Cr3+, alors que le Mn2+ divalent a été peu affecté. Du V2+ est apparu à la suite du traitement ; il devait vraisemblablement se trouver à l'état 3+ dans le MgO initial. Les résultats indiquent de plus que le processus de réduction n'est pas uniforme dans les échantillons, qu'il peut être renversé par chauffage en l'absence de champ électrique, et qu'il est accompagné par la création de défauts qui agissent comme des pièges à électrons peu profonds à la température ambiante.
Abstract
Results of a study of the reduction of transition metal impurity ions in MgO due to passage of electric current are reported. Fields of the order of 103 V/cm and temperatures between 950 and 1 150°C were used. Trivalent impurities, Fe3+ and Cr3+ could be almost completely reduced, whereas divalent Mn2+ was not greatly changed. V2+ appeared after treatment; presumably vanadium had been in the 3+ state in the original MgO. The results further indicate that the reduction process is not uniform throughout the samples, that it can be reversed by heating in the absence of an electric field, and that it is accompanied by the creation of defects that act as shallow electron trapping sites at room temperature.