INTERSTITIAL TRAPPING PROCESSES AND DYNAMIC SATURATION EFFECTS WHICH INFLUENCE THE GROWTH RATE OF DEFECTS IN IRRADIATED IMPURE ALKALI HALIDES

Résumé
Des études sur KCl(Sr) et sur KBr(Sr) montrent que la décroissance des dipôles impureté-lacune (I. V.) pendant l'irradiation aux rayons X près de la température ambiante est proportionnelle à la formation de centres F et en accord numérique étroit avec elle. Les bandes H-N et V^m₂ satisfont une relation en loi quadratique en accord avec des modèles impliquant respectivement pour les deux défauts des centres H et la capture de di-interstitiels aux dipôles I. V. Cette interprétation est confirmée par des expériences de cuisson de centres H_Na. L'existence d'effets de saturation dynamique résultant dans le premier stade de la formation de centres F est illustrée par des expériences sur des cristaux de KCl, et des mécanismes possibles pour rendre compte des dépendances observées en température et en intensité sont discutés.

Abstract
Investigations on KCl(Sr) and Kbr(Sr) show that the decrease of impurity vacancy (I. V.) dipoles during X-irradiation near room temperature is proportional and in close numerical agreement with F-centre formation. The H-N and V^m₂-bands obey a square-law relation in agreement with models involving H-centre and di-interstitial capture at I. V. dipoles for the two defects, respectively. This interpretation is confirmed by H_Na-centre annealing experiments. The existence of dynamic saturation effects resulting in the first stage of F-centre formation is illustrated by experiments on KCl crystals and possible mechanisms to account for the observed temperature and intensity dependences are discussed.