Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 37, Numéro C7, Décembre 1976
Second International Conference on Lattice Defects in Ionic Crystals / Seconde Conférence Internationale sur les Défauts de Réseau dans les Cristaux Ioniques
Page(s) C7-607 - C7-610
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:19767142
Second International Conference on Lattice Defects in Ionic Crystals / Seconde Conférence Internationale sur les Défauts de Réseau dans les Cristaux Ioniques

J. Phys. Colloques 37 (1976) C7-607-C7-610

DOI: 10.1051/jphyscol:19767142

THE EFFECT OF DISLOCATION ELECTRIC FIELD ON PHOTOELECTRIC PROPERTIES OF IONIC CRYSTALS

G. TURCHÁNYI, I. FÖLDVÁRI and I. TARJÁN

Research Laboratory for Crystal Physics, Hungarian Academy of Sciences, Budapest, Hungary


Résumé
Nous avons cherché la relation entre l'émission optiquement stimulée des exoélectrons et le champ électrique interne qui est dérivé du déplacement des dislocations dans des halogénures alcalins. Nous avons constaté que l'efficacité est grande, le mouvement des exoélectrons est orienté par le champ électrique des dislocations. Nos expériences donnent peut-être une nouvelle demonstration de la production d'un champ électrique dans la couche de surface des cristaux ioniques déformés.


Abstract
We had studied the relation of optically stimulated exoelectron-emission to the internal electric field produced by dislocation movement in alkali halide crystals. We stated that the efficiency is high, the movement of exoelectrons is directed by the dislocation electric field. Our experiences give probably a new proof of the production of an electric field in the surface layer of deformed ionic crystals.