| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 37, Numéro C7, Décembre 1976
Second International Conference on Lattice Defects in Ionic Crystals / Seconde Conférence Internationale sur les Défauts de Réseau dans les Cristaux Ioniques
|
|
|---|---|---|
| Page(s) | C7-492 - C7-494 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19767111 | |
J. Phys. Colloques 37 (1976) C7-492-C7-494
DOI: 10.1051/jphyscol:19767111
EXCITON-DEFECT INTERACTION IN THE ALKALI HALIDES
A. NOUAILHAT, E. MERCIER and G. GUILLOTLaboratoire de Physique de la Matière Institut National des Sciences Appliquées de Lyon 20, avenue Albert-Einstein, 69621 Villeurbanne Cedex, France
Résumé
On mesure l'interaction exciton-défaut dans KI entre 4 K et 77 K par l'étude du comportement de la luminescence intrinsèque dans les cristaux irradiés en utilisant conjointement comme excitation les UV et un faisceau électronique de moyenne énergie (60 keV). Ce dernier est aussi utilisé pour créer les défauts. On en déduit que la distance d'interaction augmente en dessous de 40 K uniquement pour les excitons créés par UV dans le premier pic d'absorption. Ce résultat est interprété par une diffusion athermique de l'exciton non relaxé à très basse température.
Abstract
Exciton-defect interaction in KI between 4 K and 77 K is measured through the study of the intrinsic luminescence of irradiated crystals excited by both UV and medium energy (60 keV) electron irradiation. The latter is also used to create the defects. We find that the interaction range increases below 40 K only for excitons created by UV absorption in the first exciton peak. This result is interpreted by the athermal diffusion of the non relaxed exciton at very low temperature.