Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 37, Numéro C6, Décembre 1976
International Conference on the Applications of the Mössbauer Effect / Conférence Internationale sur les Applications de l'Effet Mössbauer
Page(s) C6-691 - C6-692
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:19766143
International Conference on the Applications of the Mössbauer Effect / Conférence Internationale sur les Applications de l'Effet Mössbauer

J. Phys. Colloques 37 (1976) C6-691-C6-692

DOI: 10.1051/jphyscol:19766143

NATURAL LINEWIDTH OF THE 93.3 keV γ-TRANSITION IN 67Zn+

W. POTZEL, A. FORSTER and G. M. KALVIUS

Physik Department, Technische Universität München, Munich Germany


Résumé
En utilisant un monocristal de (Ga)ZnO comme source et un monocristal de ZnO naturel comme absorbant, on a observé pour la transition de 93,3 keV de 67Zn une largeur de raie de (0.36 ± 0.04) µm/s. Après correction de l'effet d'épaisseur des absorbants et dans la limite des erreurs, cette largeur est égale à la largeur de raie minimale déduite d'une durée de vie de 13,4 µs pour le niveau de 93,3 keV.


Abstract
Using a (Ga)ZnO single crystal source in combination with a single crystal absorber of natural ZnO a resonance linewidth of (0.36 ± 0.04) µm/s was observed for the 93.3 keV transition in 67Zn. After correction for finite absorber thickness this width equals within the limit of error the minimum observable linewidth as deduced from a lifetime of 13.4 µs for the 93.3 keV state.