Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 37, Numéro C4, Octobre 1976
Colloque International du C.N.R.S. sur les Transitions Métal-Non Métal / Metal-Non Metal Transitions
Page(s) C4-349 - C4-352
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1976463
Colloque International du C.N.R.S. sur les Transitions Métal-Non Métal / Metal-Non Metal Transitions

J. Phys. Colloques 37 (1976) C4-349-C4-352

DOI: 10.1051/jphyscol:1976463

LOCALIZATION BY CORRELATION AND BY DISORDER

D.J. THOULESS

Department of Mathematical Physics, University of Birmingham Birmingham B15 2TT, U.K.


Résumé
On discute divers aspects présentés par l'interaction des corrélations entre électrons et la localisation par le désordre. Des spins électroniques désordonnés dans le modèle d'Hubbard devraient rendre le système moins métallique avant l'apparition d'un gap à un électron. Les corrélations dans le modèle d'Anderson ne devraient pas changer substantiellement les propriétés qualitatives, et la constante diélectrique devrait augmenter très fortement juste au-dessous du seuil de mobilité. L'interaction électronphonon produira une distorsion de la densité d'états pour les électrons localisés, mais on ne s'attend pas à ce qu'elle crée un véritable gap au niveau de Fermi. Quand l'équilibre fait intervenir des états localisés doublement occupés, l'existence d'états localisés occupés par un seul électron a un effet important sur le courant photoélectrique.


Abstract
Various aspects of the interplay between electron correlation and localization by disorder are discussed. Disordered electron spins in the Hubbard model should make the system less metallic before there is a band gap. Correlation in the Anderson model may not alter the qualitative properties significantly and the dielectric constant should become very large just below the mobility edge. The electron-phonon interaction will distort the density of states for localized electrons but should not be expected to produce a real gap at the Fermi energy. When the equilibrium involves doubly occupied localized states, the existence of singly occupied localized states has an important effect on the photoelectric current.