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J. Phys. Colloques
Volume 37, Numéro C4, Octobre 1976
Colloque International du C.N.R.S. sur les Transitions Métal-Non Métal / Metal-Non Metal Transitions
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| Page(s) | C4-323 - C4-327 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1976457 | |
J. Phys. Colloques 37 (1976) C4-323-C4-327
DOI: 10.1051/jphyscol:1976457
THE INSULATING SIDE OF THE METAL-INSULATOR TRANSITION IN DOPED SEMICONDUCTORS
P. LEROUX HUGON and A. GHAZALILaboratoire de Physique des Solides C.N.R.S. 1, Place Aristide Briand 92190 Meudon, France
Résumé
Nous étudions la transition isolant-métal dans les semiconducteurs dopés en utilisant une méthode variationnelle autocohérente. Cette méthode nous permet de calculer la concentration critique en donneurs, en approchant de la transition (discontinue à T = 0) à partir de son côté isolant. Nous prévoyons un renforcement important de la constante diélectrique statique au voisinage de la transition et rendons compte de l'annulation de l'énergie d'activation ε2 à la transition. Enfin, nous esquissons une analyse thermodynamique de la transition.
Abstract
The metal-insulator transition in doped semiconductors is discussed within the framework of a (Hartree-like) self-consistent variational method. This allows us to calculate the critical donor concentration by approaching, at T = 0, the first-order transition from its insulating side. We predict a large enhancement of the static dielectric constant at the transition and account for the vanishing of the ε2 activation energy. Finally a thermodynamical analysis of the transition is outlined.