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J. Phys. Colloques
Volume 37, Numéro C4, Octobre 1976
Colloque International du C.N.R.S. sur les Transitions Métal-Non Métal / Metal-Non Metal Transitions
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| Page(s) | C4-307 - C4-311 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1976454 | |
J. Phys. Colloques 37 (1976) C4-307-C4-311
DOI: 10.1051/jphyscol:1976454
THE METAL-NON METAL TRANSITION IN DOPED SEMICONDUCTORS
W. SASAKIDepartment of Physics, Faculty of Science, University of Tokyo, Hongo-7, Tokyo, Japan
Résumé
Les données du transport électrique, de la susceptibilité magnétique et de la RMN dans Si dopé au P sont examinées pour donner une image de la transition métal-non métal du semi-conducteur dopé : la percolation des grappes de donneurs qui subissent la transition locale de Mott. Les expériences au-dessous de 1K suggèrent une possibilité pour les électrons dans les échantillons métalliques de se condenser en nouvelles phases aux températures très basses.
Abstract
Data of electric transport, magnetic susceptibility, and NMR in P-doped silicon are examined to give a picture of metal-non metal transition in doped semiconductor : the metallic transition is percolation of donor clusters which have undergone local Mott transition. Experiments below 1K suggest a possibility for electrons in metallic samples to condense into new phases at very low temperatures.