MAIN ELECTRONIC FEATURES OF GRAIN BOUNDARIES IN METALLIC AND NON-METALLIC MATERIALS

Résumé
On décrit brièvement le modèle des joints de grains dans les métaux, les propriétés dans la diffusion des impuretés, et la différence entre l'état énergétique des dislocations de carne et des gémaux. La suite de dislocations est introduite et l'occupation électronique est évaluée d'après le modèle de Read. On décrit alors le rôle des joints de grains dans les céramiques sous considération du modèle d'un varistor. Les joints de grains dans les semiconducteurs sont un domaine très vaste d'activité et seules les propriétés les plus remarquables sont revues brièvement.

Abstract
After a short description of the grain boundary model in metals, the diffusion property of grain boundaries is explained and the energy difference between edge dislocations and twins considered. The dislocation-row is introduced and the electronic occupation according to the Read model is assessed. The role of grain boundaries in ceramics is described considering specifically the model of a varistor. Grain boundaries in semiconductors represent a wide field of endeavor and only the outstanding features are described briefly.