OPTICAL PROPERTIES OF CdIn₂S₄ SINGLE CRYSTALS

Résumé
L'absorption optique de monocristaux de CdIn₂S₄ a été mesurée à différentes températures dans la région spectrale de 0,4 à 0,8 µ. On a trouvé que le gap pour les transitions indirectes permises a un coefficient de température de - 9,5 x 10^-4 eV/degré entre 100 et 300 K et se situe à 2,7 eV, extrapolé à 0 K. De la variation thermique du photocourant correspondant à l'inflexion de la courbe photocourant en fonction de la température, on trouve que le niveau d'énergie des centres de recombinaison (centres sensibilisateurs) se situe à 0,7 eV au-dessus de la bande de valence. On trouve à partir des courants stimulés thermiquement qu'il y a trois types de niveaux de piégeages temporaires pour les électrons à environ 0,1, 0,2 et 0,5 eV en dessous de la bande de conduction. Dans une étude des caractéristiques courant-tension, des oscillations du photocourant à faible fréquence (0,05 à 10 Hz) ont été observées. Deux types d'oscillations sont observées : soit sinusoïdales, soit impulsionnelles. La fréquence des oscillations croît avec l'augmentation de l'intensité d'illumination ainsi qu'avec celle de la tension appliquée. Ces oscillations sont vraisemblablement directement associées au vidage des pièges, la recombinaison et la trempe thermique.

Abstract
The optical absorption of CdIn₂S₄ single crystals has been measured at several temperatures in the spectral range from 0.4 to 0.8 µ. The interband gap for the indirect allowed transition was found to have a temperature coefficient of - 9.5 x 10^-4 eV/deg between 100 K and 300 K and to have a value of 2.7 eV when extrapolated to 0 K. From a temperature dependence of the photocurrent corresponding to the knee on the photocurrent-temperature curve, the energy level of the recombination centers (sensitizing centers) was found to be about 0.7 eV above the valence band edge. It was found from measurement of thermally stimulated current that there were three kinds of temporary trap levels for the electrons at about 0.1, 0.2 and 0.5 eV below the conduction band. In a study of the current-voltage characteristics, low frequency (0.05 Hz-10 Hz) oscillations of the photocurrent were observed. Two types of the oscillations were observed i. e., sinusoidal type and pulse type. The frequencies of the oscillations increases with an increase of the light intensity and also they do with an increase of the applied voltage. The oscillations are probably directly associated with exhaustion of the traps, recombination and thermal quenching.