RÔLE DES NIVEAUX 4f DANS LA CINÉTIQUE DE PHOTOCONDUCTIVITÉ DE L'EuO EN COUCHE MINCE

Résumé
Dans des expériences préliminaires [1], la comparaison de l'absorption optique avec la photoconductivité spectrale en lumière polarisée circulairement droite et gauche nous a permis de préciser que la transition 4f-5d est responsable de la photoconductivité. Dans ce travail, nous discutons du rôle joué par les niveaux 4f dans le processus de recombinaison des porteurs photoexcités et proposons un modèle simple dans lequel, avant leur recombinaison, les électrons participent au transport dans une bande de conduction. Des mesures de cinétique de photoconductivité ont été faites dans la bande d'absorption fondamentale à la longueur d'onde excitatrice de 6 600 Å, sur des échantillons d'EuO en couches minces. Les cinétiques observées en fonction de la température et du champ magnétique montrent un comportement complexe variant peu avec ces paramètres. La superposition d'un éclairement continu de longueur d'onde variable tend a rendre ce comportement exponentiel avec un effet maximum pour une longueur d'onde voisine de la transition 4f-5d. Ces résultats sont discutés à l'aide d'un modèle dans lequel les transitions électroniques se font entre les niveaux 4f, une bande de conduction et une distribution de pièges peu profonds.

Abstract
In previous experiments [1] the comparison of optical absorption with spectral photoconductivity for left and right circularly polarized light enables us to specify that the 4f-5d transition is responsible for the photoconductivity. In this work, we discuss the role of the 4f levels in recombination process of the photoexcited electrons and we offer a simple model where electrons participate to transport phenomena in the conduction band before their recombination. Measurements of kinetic of photoconductivity were made in the fundamerital absorption band with a wave-length of 6 600 Å on samples of EuO thin films. The frequency diagram observed as a function of temperature and of magnetic fields shows an uneasy behaviour which varies slightly with these parameters. The addition of a continuous lightening with variable wavelenght tends to make this behaviour exponential with a maximum effect for a wavelenght close to the 4f-5d transition. These results are discussed with the help of a model in which theelectronic transitions occur between the 4f levels, a conduction band and a distribution of shallow traps.