CALCUL DES CONSTANTES DIÉLECTRIQUES DANS LES SEMICONDUCTEURS III-V ET II-VI

Résumé
Ce travail concerne l'étude des susceptibilités du 1^er et du 2^e ordre dans les semiconducteurs composés III-V et II-VI. Pour celle du 1^er ordre, on détermine les divers moments de ε₂(ω) dans l'approximation de Hartree-Fock. Ensuite on utilise une représentation approchée de ε₂(ω) (sous forme de fonctions delta par exemple) dont les paramètres sont évalués de façon à satisfaire les premiers moments de la courbe exacte. On applique enfin ce modèle approché au calcul de la susceptibilité qui est proportionnelle au moment d'ordre - 1. On discute l'emploi de techniques similaires pour le calcul de la susceptibilité du second ordre dans ces systèmes. On donne enfin des résultats numériques préliminaires obtenus dans l'approximation des liaisons fortes.

Abstract
This work develops a study of the 1st and 2nd order dielectric constants of III-V and II-VI semiconductor compounds. For the 1st order one the moments of ε₂(ω) are derived in the Hartree-Fock approximation. An approximate representation of ε₂(ω) is then used (built from delta functions for instance) whose parameters are determined to satisfy the first moments of the exact curve. The model is finally applied to the calculation of the susceptibility which is proportionnal to the moment of order - 1. The use of similar techniques for the calculation of the second order susceptibility is also discussed. Preliminary numerical results are given using the tight-binding approximation.