ELECTRONIC STRUCTURE OF DISORDERED SYSTEMS

Résumé
La densité d'états électronique d'un système désordonné est étudiée dans l'approximation des liaisons fortes en utilisant un développement en moments. Nous montrons que les moments de la densité d'états sont directement liés aux intégrales de recouvrement entre paires d'atomes moyennées par les fonctions de corrélation des atomes dans le système. Dans le cas où les atomes sont situés sur un réseau, les moments se calculent par un décompte de chemins sur le réseau. Nous décrivons ensuite brièvement certaines des techniques utilisées pour reconstruire la densité d'états à partir d'un nombre fini de ses moments. Des exemples sont donnés pour illustrer les différentes possibilités décrites.

Abstract
The electronic density of states of a disordered system is studied in a tight binding scheme using an expansion in its moments. These moments are directly related to atomic pairs overlap integrals averaged by the correlation functions of the system. When the atoms are located on a lattice, the moments can be computed by a walk counting technique. We describe then briefly some of the methods used to build up some description of the density of states through a knowledge of a finite number of its moments. Some concrete examples are given to illustrate these possibilities.