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J. Phys. Colloques
Volume 33, Numéro C3, Mai-Juin 1972
"PERSPECTIVES DE CALCUL DE LA STRUCTURE ÉLECTRONIQUE DES SOLIDES ORDONNÉS ET DÉSORDONNÉS"
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Page(s) | C3-123 - C3-126 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1972317 |
"PERSPECTIVES DE CALCUL DE LA STRUCTURE ÉLECTRONIQUE DES SOLIDES ORDONNÉS ET DÉSORDONNÉS"
J. Phys. Colloques 33 (1972) C3-123-C3-126
DOI: 10.1051/jphyscol:1972317
Department of Chemistry, Aarhus University, DK-8000 Aarhus, Denmark
J. Phys. Colloques 33 (1972) C3-123-C3-126
DOI: 10.1051/jphyscol:1972317
APPROXIMATE NON-EMPIRICAL TIGHT-BINDING BAND STRUCTURE CALCULATIONS WITH APPLICATIONS TO DIAMOND AND SILICON
J. LINDERBERG and J. Chr. POULSENDepartment of Chemistry, Aarhus University, DK-8000 Aarhus, Denmark
Résumé
On s'intéresse à l'approximation des "liaisons fortes" avec une évaluation non empirique des paramètres figurant dans l'hamiltonien. Les termes d'échange pour la bande de valence sont inclus de manière auto-cohérente dans l'approximation du recouvrement différentiel nul. Les résultats pour le diamant sont très proches de ceux d'autres calculs.
Abstract
The tight-binding approximation is considered with a non-empirical evaluation of hamiltonian parameters. Valence band exchange terms are included in the zero differential overlap approximation by means of a self-consistent procedure. Results for diamond are closely similar to other calculations.