| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 32, Numéro C4, Octobre 1971
COLLOQUE INTERNATIONAL DU C.N.R.S.PROCESSUS ÉLECTRONIQUES SIMPLES ET MULTIPLES DU DOMAINE X ET X-UV |
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| Page(s) | C4-295 - C4-300 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1971454 | |
PROCESSUS ÉLECTRONIQUES SIMPLES ET MULTIPLES DU DOMAINE X ET X-UV
J. Phys. Colloques 32 (1971) C4-295-C4-300
DOI: 10.1051/jphyscol:1971454
THE INFLUENCE OF CHEMICAL BONDING ON THE LOW-ENERGY Kα SPECTRUM OF SILICON
T. ÅBERG and J. UTRIAINENLaboratory of Physics, Helsinki University of Technology, Otaniemi, Finland
Résumé
On montre que la structure d'énergie basse, trouvée récemment, de Si Kα ligne est sensible aux environs chimiques de l'atome Si. Notre interprétation que la partie la plus remarquable de cette structure d'énergie basse provient des transitions Auger radieuses K-L2 conduit à une explication des changements les plus évidents. La formation des excitons rayon X est observée au début de la structure K-L2 et on, donne aussi, des preuves de la structure faible située entre la ligne Kα et le spectre K-L2 proposé.
Abstract
It is shown that the recently found low-energy structure of the Si Kα line is sensitive to the chemical environment of the Si atom. Our interpretation that the most prominent part of this low-energy structure is due to K-L2 radiative Auger transitions leads to an explanation of the most pronounced changes. The formation of x-ray excitons is observed at the onset of the K-L2 structure and evidence is also presented for a faint structure which is situated between the Kα line and the proposed K-L2 spectrum.