X-ray EMISSION BANDS AND ELECTRONIC STRUCTURE OF SILICON AND OF SOME SILICON, SULPHUR, AND ALUMINUM COMPOUNDS

Résumé
On présente les spectres X d'émission Kβ et L_{2, 3} du silicium pur, du silicium présent dans les composés intermétalliques Ca₂Si, Ca₅Si₃, CaSi, CaSi₂ et Ca_0,75Sr_0,25Si₂, de l'aluminium dans AlN et AlSb, enfin du soufre dans ZnS, CdS et FeS₂. Les résultats expérimentaux relatifs au silicium sont comparés aux récentes valeurs calculées de la densité d'états et de la distribution d'intensité des bandes d'émission K et L. Les distributions d'intensité théorique et expérimentale sont en bon accord. Les bandes d'émission S Kβ et S L_{2, 3} du ZnS ont été interprétées en tenant compte des différentes valeurs des bandes d'énergie, obtenues par le calcul.

Abstract
X-ray Kβ- and L_{2, 3}-emission bands are presented for pure silicon, for silicon in the intermetallic compounds Ca₂Si, Ca₅Si₃, CaSi, CaSi₂ and Ca_0,75Sr_0,25Si₂, for aluminum in AlN and AlSb, and for sulphur in ZnS, CdS and FeS₂. For pure silicon the experimental results are compared with recent calculations of the density of states and the intensity distribution of the K- and L-emission bands. The experimental and theoretical intensity distributions agree fairly well. In the case of ZnS an interpretation of the S Kβ- and S L_{2, 3}-emission bands is given taking into account different energy band calculations.