Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 29, Numéro C4, Novembre 1968
COLLOQUE INTERNATIONAL SUR LES COMPOSÉS IV-VI
Page(s) C4-129 - C4-132
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1968418
COLLOQUE INTERNATIONAL SUR LES COMPOSÉS IV-VI

J. Phys. Colloques 29 (1968) C4-129-C4-132

DOI: 10.1051/jphyscol:1968418

VALENCE BAND STRUCTURE OF PbTe

A. J. CROCKER and L. M. ROGERS

Zenith Radio Research Corporation (U.K.) Ltd., Stanmore, Middlesex


Résumé
Cet article de revue couvre notre travail des dernières années sur le PbTe et l'alliage semiconducteur CdxPb1-xTe. Il montre comment les mesures des propriétés de transport et des propriétés optiques de ces matériaux confirment : 1) Le modèle à deux bandes de valence pour PbTe dans lequel la bande principale de faible masse est fortement non parabolique et la bande secondaire de forte masse est parabolique. 2) La valeur d'environ 1/2 du facteur d'anisotropie de Hall de la bande de valence principale dans le cas de PbTe de très forte densité de porteurs à basse température.


Abstract
This paper is a review article covering our work in recent years on PbTe and the alloy semiconductor CdxPb1-xTe. It shows how measurements of the transport and optical properties of these materials support (1) the two valence band model for PbTe in which the principal light mass band is highly non-parabolic and the secondary heavy mass band is parabolic and (2) a value for the Hall-anisotropy factor of the principal valence band, in the case of extremely high carrier density PbTe at low temperatures, of about 1/2.