ÉTUDE DE L'IONISATION PAR CHOC DANS LES SEMI-CONDUCTEURS InAs ET InSb

Résumé
Nous présentons les résultats expérimentaux relatifs à l'avalanche intrinsèque dans deux semi-conducteurs et à la recombinaison radiative du plasma hors d'équilibre. Nous comparons ensuite ces résultats aux prévisions théoriques données par un modèle de distribution électronique que nous rappelons brièvement en introduction, et donnons une valeur de la section efficace d'ionisation pour les électrons de grande énergie.

Abstract
We give experimental results for the intrinsic breakdown and the radiative recombinaison of the electrons out of equilibrium in two semiconductors. These results are compared with theoretical predictions given by a new model of the electron distribution which is recalled. A value of the ionisation cross section for the high energy electrons is deduced.