Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 50, Numéro C6, Juin 1989
Beam Injection Assessment of Defects in SemiconductorsInternational Workshop |
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Page(s) | C6-73 - C6-83 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1989607 |
International Workshop
J. Phys. Colloques 50 (1989) C6-73-C6-83
DOI: 10.1051/jphyscol:1989607
CATHODOLUMINESCENCE IN DOUBLE HETEROJUNCTION LASERS
P. HENOC, B. AKAMATSU et R.B. MARTINSCentre National d'Etude des Télécommunications, CNET, 196, Avenue Henri Ravera, F-92220 Bagneux, France
Résumé
La technique de Cathodoluminescence a été utilisée pour l'évaluation locale des propriétés de la couche active des lasers à double hétérostructure. L'analyse des profils et des spectres de cathodoluminescence, obtenus à partir des surfaces clivées, en fonction de la polarisation externe et du courant de faisceau, a permis une évaluation de la qualité des interfaces, de l'efficacité interne et du gain local de l'émission stimulée. Pour faciliter l'interprétation quantitative, une formule analytique de la fonction de génération, dérivée de la simulation de Monte-Carlo, a été utilisée.
Abstract
The cathodoluminescence mode of the Scanning Electron Microscope is used to evaluate local properties of the active layer of double-heterojunction lasers. The analysis of the Cathodoluminescence line-scans and spectra from cleaved laser surfaces, as a function of the external bias and of the incident beam current, give information about the interface quality, the internal efficiency and the local gain of stimulated emission. In order to make a quantitative interpretation of our experimental measurements, an analytical form of the tridimensional generation function, derived from a Monte-Carlo trajectory simulation, is used.