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J. Phys. Colloques
Volume 49, Numéro C4, Septembre 1988
ESSDERC 8818th European Solid State Device Research Conference |
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| Page(s) | C4-183 - C4-186 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1988437 | |
ESSDERC 88
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-183-C4-186
DOI: 10.1051/jphyscol:1988437
1 CNET, PB 98, F-38243 Meylan Cedex, France
2 CNRS, BP 166X, F-38042 Grenoble Cedex, France
18th European Solid State Device Research Conference
J. Phys. Colloques 49 (1988) C4-183-C4-186
DOI: 10.1051/jphyscol:1988437
CONTROL OF A SELF-ALIGNED W SILICIDE PROCESS BY ANNEALING AMBIENCE
J. TORRES1, J. PALLEAU1, N. BOURHILA1, J.C. OBERLIN1, A. DENEUVILLE2 et M. BENYAHIA21 CNET, PB 98, F-38243 Meylan Cedex, France
2 CNRS, BP 166X, F-38042 Grenoble Cedex, France
Résumé
Pour les technologies submicroniques, des étapes de métallisation autoalignées sont de plus en plus nécessaires. La formation autoalignée du siliciure de tungstene WSi2 par réaction entre W et Si a pu être maîtrisée en réalisant des recuits sous oxygène et sous ammoniac. La formation latérale du siliciure est alors évitée même sur des espaceurs d'oxyde d'épaisseur 60 nm.
Abstract
With devices at submicronic dimensions, self-aligned processes are becoming of increasing interest. The self aligned W silicide formation by localised reaction between W and Si has been controlled using reactive atmosphere, oxygen and ammonia, during furnace annealing. No lateral silicide formation over SiO2 spacers, only 60 nm thick, has been observed.