AN X-RAY DIFFRACTION STUDY OF DISORDER IN GaAlAs-GaAs SUPERLATTICES

Résumé
Un désordre a été introduit dans des superréseaux GaAlAs-GaAs fabriqués par E J M, en faisant varier intentionnellement, suivant une loi gaussienne, les épaisseurs des puits de GaAs. Les diagrammes de diffraction X donnés par ces structures présentent au voisinage des réflexions satellites d'ordre différent de zéro, des effets inhabituels (pics supplémentaires) qui croissent avec le désordre. Un modèle mathématique basé sur la théorie cinématique permet, connaissant la séquence de croissance, d'expliquer dans le détail les profils observés.

Abstract
An intentional disorder has been introduced in MBE grown GaAlAs-GaAs superlattices by varying, following a gaussian law, the thicknesses of the GaAs wells. The experimental X-ray diffraction diagrams given by these structures show in the vicinity of non-zero order satellite reflections, unusual effects (extra-peaks) increasing with disorder. A mathematical model based on the kinematical theory was established : it allows the computing of the detailed shape of the diffraction profiles, provided the grown sequence is known.