Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 48, Numéro C5, Novembre 1987
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
Page(s) C5-549 - C5-552
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:19875118
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures

J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-549-C5-552

DOI: 10.1051/jphyscol:19875118

FINE STRUCTURE OF EXCITONS IN QUANTUM WELLS

B. GIL, Y. CHEN, P. LEFEBVRE et H. MATHIEU

Groupe d'Etudes des Semiconducteurs, Université des Sciences et Techniques du Languedoc, Place Eugène Bataillon, F-34060 Montpellier Cedex, France


Résumé
Nous présentons une analyse théorique de la structure fine des excitons dans les puits quantiques qui prend conjointement en compte, le Rydberg effectif, l'échange électron-trou et la multiplicité de spin. Ce modèle nous permet d'analyse quantitativement des résultats expérimentaux obtenus pour des structures GaAs-Ga0.5Al0.5As.


Abstract
We present a theoretical investigation of the fine structure for quantized exciton including effective Rydberg, electron hole exchange interaction and spin multiplicity which enables to analyze experimental results earlier reported for GaAs-Ga0.5Al0.5As.