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J. Phys. Colloques
Volume 48, Numéro C5, Novembre 1987
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
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Page(s) | C5-549 - C5-552 | |
DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19875118 |
3rd International Conference on Modulated Semiconductor Structures
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-549-C5-552
DOI: 10.1051/jphyscol:19875118
Groupe d'Etudes des Semiconducteurs, Université des Sciences et Techniques du Languedoc, Place Eugène Bataillon, F-34060 Montpellier Cedex, France
J. Phys. Colloques 48 (1987) C5-549-C5-552
DOI: 10.1051/jphyscol:19875118
FINE STRUCTURE OF EXCITONS IN QUANTUM WELLS
B. GIL, Y. CHEN, P. LEFEBVRE et H. MATHIEUGroupe d'Etudes des Semiconducteurs, Université des Sciences et Techniques du Languedoc, Place Eugène Bataillon, F-34060 Montpellier Cedex, France
Résumé
Nous présentons une analyse théorique de la structure fine des excitons dans les puits quantiques qui prend conjointement en compte, le Rydberg effectif, l'échange électron-trou et la multiplicité de spin. Ce modèle nous permet d'analyse quantitativement des résultats expérimentaux obtenus pour des structures GaAs-Ga0.5Al0.5As.
Abstract
We present a theoretical investigation of the fine structure for quantized exciton including effective Rydberg, electron hole exchange interaction and spin multiplicity which enables to analyze experimental results earlier reported for GaAs-Ga0.5Al0.5As.