| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 47, Numéro C8, Décembre 1986
EXAFS and Near Edge Structure IV
|
|
|---|---|---|
| Page(s) | C8-383 - C8-386 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1986875 | |
EXAFS and Near Edge Structure IV
J. Phys. Colloques 47 (1986) C8-383-C8-386
DOI: 10.1051/jphyscol:1986875
LURE, Laboratoire CNRS, CEA, CEN, Bâtiment 209D, U.P.S., F-91405 Orsay Cedex, France
J. Phys. Colloques 47 (1986) C8-383-C8-386
DOI: 10.1051/jphyscol:1986875
STRUCTURAL EXAFS STUDY OF COMPOSITE MATERIALS OF THE SiC TYPE
C. LAFFON, A.M. FLANK et P. LAGARDELURE, Laboratoire CNRS, CEA, CEN, Bâtiment 209D, U.P.S., F-91405 Orsay Cedex, France
Résumé
L'environnement du silicium dans les fibres composites type SiC a été étudié par EXAFS et comparé à celui trouvé dans la silice, et dans le carbure de silicium cristallin. Notre étude conclut à l'existence dans ces fibres de microcristaux de SiC noyés dans une matrice d'oxyde.
Abstract
The Silicon environment in composite SiC fibres has been investigated by EXAFS and compared to the SiO2 glass and quartz, crystalline SiC and pure Si. We concluded that these fibres are a microcrystalline structure of SiC embedded in an oxide matrix.