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J. Phys. Colloques
Volume 47, Numéro C8, Décembre 1986
EXAFS and Near Edge Structure IV
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| Page(s) | C8-857 - C8-860 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:19868165 | |
J. Phys. Colloques 47 (1986) C8-857-C8-860
DOI: 10.1051/jphyscol:19868165
A STRUCTURAL INVESTIGATION OF SOME EVAPORATED SiOx FILMS
A. J. FORTY1, M. KERKAR1, J. ROBINSON1, S.M. EL-MASHRI2 et E.N. FARRABAUGH31 Physics Department, University of Warwick, GB-Coventry CV4 7AL, Great-Britain
2 Atomic Energy Commission, Tripoli, Libya
3 National Bureau of Standards, Washington, D.C. 20234, U.S.A.
Résumé
La structure des films minces SiOx formés par évaporation du silicium ou de silice dans différentes pressions parcielles d'oxygène a été investiguée en utilisant EXAFS, au seuil d'absorption K du silicium, et XPS. L'évaporation a été obtenue par la fusion de la cible de silicium ou silice en la bombardant à l'aide d'un faisceau électronique et les vapeurs ont été déposées sur un substrat de mica fraîchement clivé et chauffé. Les résultats obtenus dans cette étude sont en accord avec le model du mélange aléatoire pour l a structure de SiOx et ne montrent aucune consistence avec le modèle de distribution aléatoire de liaisons atomiques.
Abstract
The structure of thin SiOx films formed by the electron beam evaporation of silicon, or silica, on to heated mica substrates in various partial pressures of oxygen has been investigated using both EXAFS, at the Si K edge, and X-ray photoelectron spectroscopy. The data obtained from these studies are consistent with the random mixture model for the structure of SiOx and inconsistent with the random bond model.