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J. Phys. Colloques
Volume 47, Numéro C1, Février 1986
Thirteenth International Conference on Science of Ceramics
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| Page(s) | C1-193 - C1-196 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1986129 | |
Thirteenth International Conference on Science of Ceramics
J. Phys. Colloques 47 (1986) C1-193-C1-196
DOI: 10.1051/jphyscol:1986129
Ceramiques Techniques Desmarquest, 2, Avenue A. Einstein, F-78193 Trappes Cedex, France
J. Phys. Colloques 47 (1986) C1-193-C1-196
DOI: 10.1051/jphyscol:1986129
CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF IR-TRANSMITTING ZINC SULPHIDE
Ph. BRAUDEAU, G. KELLER et J.P. TORRECeramiques Techniques Desmarquest, 2, Avenue A. Einstein, F-78193 Trappes Cedex, France
Résumé
Le dépôt chimique en phase vapeur est un procédé permettant la réalisation de lentilles ou de fenêtres en sulfure de zinc dont la transmission dans la bande 8-12 microns dépasse 75%. Les facteurs jouant un rôle déterminant dans ce procédé sont la température du substrat sur lequel se dépose le sulfure de zinc et la pression à l'intérieur de l'enceinte.
Abstract
Chemical vapor deposition is a suitable process for manufacturing ZnS lenses or windows with more than 75% transmittance in the 8 to 12 micron range. The most influent parameters of this process are the temperature of the substrate on which ZnS deposition takes place and the pressure within the reaction chamber.