| Numéro |
J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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| Page(s) | C4-261 - C4-265 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983431 | |
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-261-C4-265
DOI: 10.1051/jphyscol:1983431
1 Universiteit Antwerpen, RUCA, Groenenborgerlaan 171, B-2020 Antwerpen, Belgium
2 K. U. Leuven, E. S. A. T., Kardinaal Mercierlaan 94, B-3030 Heverlee, Belgium
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-261-C4-265
DOI: 10.1051/jphyscol:1983431
ELECTRON MICROSCOPICAL STUDY OF OXYGEN RELATED DEFECTS IN CZOCHRALSKI SILICON
H. Bender1, C. Claeys2, J. Van Landuyt1, G. Declerck2, S. Amelinckx1 et R. Van Overstraeten21 Universiteit Antwerpen, RUCA, Groenenborgerlaan 171, B-2020 Antwerpen, Belgium
2 K. U. Leuven, E. S. A. T., Kardinaal Mercierlaan 94, B-3030 Heverlee, Belgium
Résumé
Les défauts créés par un traitement à basse température du silicium Czochralski avec une teneur élevée en oxygène, sont étudiés par microscopie électronique à haute tension et à haute résolution.
Abstract
The defects formed during a low temperature treatment of Czochralski silicon with a high interstitial oxygen content are studied by both high voltage and high resolution electron microscopy.