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J. Phys. Colloques
Volume 44, Numéro C4, Septembre 1983
Colloque International du C.N.R.S. sur les Propriétés et Structure des Dislocations dans les Semiconducteurs / Properties and Structure of Dislocations in Semiconductors
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| Page(s) | C4-85 - C4-89 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1983410 | |
J. Phys. Colloques 44 (1983) C4-85-C4-89
DOI: 10.1051/jphyscol:1983410
ASYMMETRY OF ISOLATED DISLOCATIONS MOBILITY IN Ge AND Si SINGLE CRYSTALS
V.I. Nikitenko, B.Ya. Farber et E.B. YakimovInstitute of Solid State Physics, Academy of Sciences of the U.S.S.R., 142432, Chernogolovka, Moscow district, U.S.S.R.
Résumé
La variation de la vitesse des dislocations provoquée par l'inversion du signe de la contrainte de cisaillement appliquée a été étudiée dans Ge et Si en fonction de la température, de la contrainte et des conditions de traitement thermique. Les résultats obtenus sont discutés en prenant en compte l'influence de la dissociation des dislocations et de l'interaction dislocations-défauts ponctuels sur la formation et le développement des doubles décrochements.
Abstract
Change of dislocation velocities in Ge and Si caused by inversion of applied shear stress sign has been investigated as a function of temperature, stresses and thermal treatment conditions. The results obtained are discussed with account of the influence of dislocation splitting and dislocation-point defects interaction on the double kinks formation and extension.