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J. Phys. Colloques
Volume 43, Numéro C5, Décembre 1982
Colloque International sur l'Epitaxie des Semiconducteurs / Epitaxial Growth of Semiconductor Material
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| Page(s) | C5-421 - C5-426 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982548 | |
J. Phys. Colloques 43 (1982) C5-421-C5-426
DOI: 10.1051/jphyscol:1982548
CROISSANCE EPITAXIQUE D'ARSENIURE DE GALLIUM PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR A PARTIR D'UN NOUVEAU COMPOSE ORGANOMETALLIQUE LE MONOCHLORODIMETHYLGALLIUM-TRIETHYLARSINE
A. Zaouk et G. ConstantLaboratoire de Cristallochimie, Réactivité et Protection des Matériaux, ERA 263, Ecole Nationale Supérieure de Chimie, 118, Route de Narbonne, 31077 Toulouse Cedex, France
Résumé
Des couches polycristallines et monocristallines d'arséniure de gallium ont été obtenues à partir d'un nouveau composé de coordination : le monochlorodiméthylgallium-triéthylarsine. La présence de l'hydrogène dans la phase vapeur améliore la qualité du dépôt : le matériau est de type p. L'addition de triéthylarsine permet l'obtention d'un matériau de type n. La substitution des trois radicaux éthyls par des radicaux méthyls sur l'arsenic favorise la dissociation de la molécule et empêche la formation d'un dépôt.
Abstract
Polycrystalline and single crystal layers of gallium arsenide were obtained using a new coordination compound the diethylgalliumchloride-triethylarsine. The presence of hydrogen in the vapor phase improve the quality of the p type layer. An addition of triéthylarsine leads to the obtention of an n type material. The substitution of the ethyls radicals by methyls on arsenic atom favorises the total dissociation of the molecule.