THE GROWTH OF QUANTUM WELL GaAs/GaAlAs LASER STRUCTURES

Résumé
Dans ce papier nous décrivons la croissance des interfaces abruptes pour l'application des lasers à puits quantiques. Nous rapportons les caractéristiques d'une structure Laser GRIN-SCH à puits quantique qui a montré la plus petite densité de courant de seuil jamais rapportée (232 A cm² pour une longueur de cavité de 413 µm) tout en conservant de bonnes propriétés themiques et électriques. Une comparaison des longueurs d'ondes d'émission obtenues avec celles que la théorie laisse prévoir nous a permis d'étalonner la vitesse de croissance de la couche active entre 60 Å et 400 Å et d'estimer que la largeur de l'hétérointerface est inférieure à 10 Å.

Abstract
In this paper we describe the growth of abrupt heterojunctions for use in quantum well laser applications. We give the characteristics of a GRIN-SCH quantum-well laser structure which exhibits the lowest threshold current density ever reported (232 A cm² at a cavity length of 413 µm) while maintaining good thermal and electrical properties. A comparison of the emission wavelengths with those predicted theoretically has allowed us to calibrate the growth rate in the layer thickness range 60 Å to 400 Å and to estimate a heterointerface abruptness of less than 10 Å.