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Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 43, Numéro C1, Octobre 1982
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors
Page(s) C1-241 - C1-246
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982133
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors

J. Phys. Colloques 43 (1982) C1-241-C1-246
DOI: 10.1051/jphyscol:1982133

A PHOTO-INDUCED MEMORY EFFECT OBSERVED ON In-Si-Se SYSTEM

M. Okuda1, T. Matsushita2, A. Suzuki2, H. Naito1 et T. Nakau1

1  College of Engineering, University of Osaka Prefecture, Mozu, Sakai, Osaka, Japan 591
2  College of Engineering, Osaka Industrial University, Nakagaito, Daito, Osaka, Japan 574


Résumé
Un effet mémoire photo-induit (phénomène similaire à la photoconductivité persistante) a été trouvé dans des couches polycristallines photo-induites du système In-Si-Se. Le processus polycristallin photo-induit a été obtenu en irradiant l'échantillon (intensité lumineuse de 6 mW/cm2) à 70°C. La conductivité augmente fortement après irradiation par lumière pulsée (intensité de 20 µW/cm2) à basse température (153 K) et un effet mémoire apparaît. En augmentant la température au-dessus d'un point critique (T=263 K), la conductivité revient à sa valeur première. Comme l'effet mémoire photo-induit est reproductible, il peut être considéré comme un phénomène électrique et paraît s'expliquer par un modèle de barrière tenant compte des inhomogénéités diverses des couches polycristallines.


Abstract
A photo-induced memory effect (a phenomenon similar to the persistent photoconductivity) was found in the photo-induced polycrystalline films of the In-Si-Se system. The photo-induced polycrystalline process was performed by irradiating the specimen (the light intensity is 6 mW/cm2) at temperature 70°C. The conductivity drastically increased by irradiation of the light pulse (its intensity is 20 µW/cm2) at low temperature (153 K) and entered a memory state. With increasing the temperature above a critical point (T=263 K), the conductivity returned to the original value. As the photo-induced memory effect is a reproducible phenomenon, it may be considered as an electronic effect and seems to be explained by the barrier model with various inhomogeneities in the polycrystalline films.