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J. Phys. Colloques
Volume 43, Numéro C1, Octobre 1982
Colloque International du C.N.R.S. sur les Semiconducteurs Polycristallins / Polycrystalline Semiconductors
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| Page(s) | C1-129 - C1-133 | |
| DOI | https://doi.org/10.1051/jphyscol:1982118 | |
J. Phys. Colloques 43 (1982) C1-129-C1-133
DOI: 10.1051/jphyscol:1982118
TEM AND EBIC INVESTIGATIONS OF POLYCRYSTALLINE SILICON SHEETS GROWN BY THE RAD GROWTH PROCESS
R. Sharko1, A. Gervais1 et C. Texier-Hervo21 Laboratoire de Mineralogie-Cristallographie, Université P. et M. Curie, 4, place Jussieu, 75230 Paris Cedex 05, France
2 Laboratoires de Marcoussis, Centre de Recherches de la C.G.E., Route de Nozay, 91460 Marcoussis, France
Résumé
Dans cet article, sont présentés des résultats d'une étude par microscopie électronique en transmission de joints de grains électriquement actifs (et inactifs) dans des échantillons de silicium polycristallin élaborés par la méthode RAD. Les joints de grains dans les échantillons extraits après plusieurs mètres de tirage ne sont pas caractérisés par des relations de mâcles parfaites. De nombreux précipités apparaissent dans les joints proches de la surface libre.
Abstract
This article reports on results of observations by transmission electron microscopy (TEM) of electrically active (and inactive) grain boundaries in polycrystalline silicon layers grown by the RAD growth process. In samples taken after a pulling length of several meters, the grain boundaries (GB's) are not characterized by exact twin relationships. Precipitates are present in GB's near the free surface.