Numéro
J. Phys. Colloques
Volume 42, Numéro C7, Octobre 1981
Third International Conference on Hot Carriers in Semiconductors
Page(s) C7-423 - C7-429
DOI https://doi.org/10.1051/jphyscol:1981752
Third International Conference on Hot Carriers in Semiconductors

J. Phys. Colloques 42 (1981) C7-423-C7-429

DOI: 10.1051/jphyscol:1981752

ELECTRON-PHONON INTERACTIONS IN SEMICONDUCTORS : PHONON TRANSPORT AND DECAY

R.G. Ulbrich

Institut für Physik, Universität Dortmund, 46 Dortmund 50, FRG


Résumé
Le transport en régime stationnaire dans les semiconducteurs met en jeu un flux constant de moment polarisé et d'énergie en excès entre le système constitué par les électrons et les phonons couplés au réservoire externe de chaleur. Le transfert du moment et de l'énergie se fait par l'intermédiaire des phonons du volume. Cet article présente les récents développements concernant la spectroscopie des phonons en insistant sur les processus de transport et de décroissance qui sont directement reliés au transport des électrons chauds dans les semiconducteurs.


Abstract
Stationary charge transport in semiconductors implies steady flow of directed momentum and excess energy from the coupled system of electrons and phonons to the external heatsink. Bulk phonons mediate the momentum and energy transfer. This article will survey recent developments in phonon spectroscopy with special reference to those phonon transport and decay processes which are directly related to hot electron transport in semiconductors.